[发明专利]一种硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510779488.7 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105316648A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 胡晓君;杭鹏杰;俞浩 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C14/48;C23C14/58;C02F1/467;C02F101/34 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;王晓普 |
| 地址： | 310014 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备厚度为300-600nm的单颗粒层纳米金刚石薄膜；(2)采用离子注入方法，在步骤(1)中得到的单颗粒层纳米金刚石薄膜中注入硼离子，得到硼离子注入的薄膜；(3)将步骤(2)中得到的硼离子注入的薄膜真空退火，即制得所述硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜。本发明制备的硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜，具有优异的电化学性能，特别具有较好的电化学催化性能，可用于有机废水的电化学催化氧化处理中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 颗粒 纳米 金刚石 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜的制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备厚度为300‑600nm的单颗粒层纳米金刚石薄膜；(2)采用离子注入方法，在步骤(1)中得到的单颗粒层纳米金刚石薄膜中注入硼离子，得到硼离子注入的薄膜；(3)将步骤(2)中得到的硼离子注入的薄膜真空退火，即制得所述硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
