[发明专利]下电极及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201510779507.6 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN106702335B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 张璐 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种下电极及半导体加工设备，其包括用于承载晶片的基座、可变器件和偏压控制装置，该可变器件用于调节加载至基座上的直流偏压；偏压控制装置用于通过自动控制可变器件，而使加载在基座上的直流偏压值与预设的目标偏压值一致。本发明提供的下电极，其可以实现对基座的直流偏压的自动控制，从而不仅可以提高对工艺结果的可控性和一致性，而且还可以节省调节时间、简化操作。 | ||
| 搜索关键词： | 可变器件 直流偏压 下电极 半导体加工设备 偏压控制装置 加载 承载晶片 工艺结果 目标偏压 可控性 预设 | ||
【主权项】：
1.一种下电极，包括用于承载晶片的基座和可变器件，所述可变器件用于调节加载至所述基座上的直流偏压，其特征在于，还包括偏压控制装置，所述偏压控制装置用于通过自动控制所述可变器件，而使加载在所述基座上的直流偏压值与预设的目标偏压值一致；所述偏压控制装置包括检测单元、控制单元和执行单元，其中，所述检测单元用于实时检测所述直流偏压值，并将其发送至所述控制单元；所述控制单元用于计算所述直流偏压值与所述目标偏压值的差值，并判断该差值是否超出预设阈值，若是，则根据指定算法向所述执行单元发送控制指令；所述执行单元用于根据所述控制指令调节所述可变器件的大小；所述可变器件包括可变电容，所述可变电容与所述基座相互串联并接地；所述可变电容的数量为多个，且多个所述可变电容与所述基座相互串联；所述可变电容的容值范围在50～500pF；所述直流偏压的大小与所述可变电容的容值成反比例关系。
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