[发明专利]铸造铝合金半密闭内腔微弧氧化方法

摘要

本发明涉及一种铸造铝合金半密封内腔微弧氧化方法，在微弧氧化过程中断开电源，断电前击穿电压以基体材料为击穿对象，而在零件表面已经成膜后，再次击穿是以零件表面的氧化膜为击穿对象，相应的击穿电压升高，再次起弧，可以有效规避铸造铝合金成膜困难、起弧时间长等问题，大幅度降低零件的成膜时间，且操作简单、可行性强。

主权项

一种铸造铝合金半密封内腔微弧氧化方法，其特征在于，所述的包括以下步骤：1)选用去离子水配制微弧氧化溶液，成分为重量比为3g/L的铝酸钠、1g/L的氢氧化钾、4g/L的硅酸钠和0.5g/L的四硼酸钠，配制过程中保证溶液充分搅拌；2)零件经除油、水洗、烘干及非微弧面保护后，装挂具放入槽体内，放入时确保零件内腔开口方向呈斜上方放置，开口所在平面与槽体侧壁阴极板呈30‑50°角；3)将压缩空气管通入到零件内腔中，管路下端距内腔底部4‑6mm，反应过程中打开压缩空气；4)开启电源，对零件进行微弧氧化操作：对于单边厚度要求在20微米以下，粗糙度在Ra1.6以下的半密闭内腔结构，正向电流密度先选择10‑15A/dm²，负向电流设为1A，占空比为8％‑50％，频率为50Hz‑200Hz；待零件表面出现起弧现象起将负向电流密度设置为10‑15A/dm²，从起弧开始5‑10min断开电源；然后重新开启电源，设置正、负向电流密度为6‑10A/dm²，占空比为8％‑50％，频率为200Hz‑800Hz，待再次起弧10‑15min后关闭电源；对于单边厚度要求在20‑40微米的半密闭内腔零件，粗糙度无要求的情况下，正向电流密度先选择10‑15A/dm²，负向电流设为1A；占空比8％‑50％，频率50Hz‑400Hz；待零件表面出现起弧现象起将负向电流密度设置为10‑15A/dm²，开始计时，从起弧开始5‑10min断开电源；重新开启电源，电参数设置值不变，反应10‑20min断开电源，此操作重复一次，共反应25‑50min后关闭电源；5)取出零件，摘下挂具，水洗后烘干；6)最终检验。