[发明专利]一种等离子体制备高纯超细碳化硼粉体的方法有效
| 申请号： | 201510781823.7 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN105314636A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 翟巍;张继红;桑井茂;曹仲文;刘君 | 申请（专利权）人： | 大连金玛硼业科技集团有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 大连科技专利代理有限责任公司 21119 | 代理人： | 龙锋 |
| 地址： | 辽宁省大连市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体制备高纯超细碳化硼粉体的方法，a）通入反应气体，接通高频电源形成等离子体作为碳源，并通入屏蔽气体；b）硼源通过载气输送进等离子体反应其中；c）硼源与碳源在高温下进行化合反应；d）反应物离开等离子体在冷却系统作用下形成超细粉体；e）粉体在气体的带动下进入收集装置；f）收集产物经洗涤、干燥后得到碳化硼粉体。采用高频等离子工艺制备碳化硼粉体，高频感应等离子弧提供的超高热源保障了碳化硼的顺利合成、而且由于是无电极加热，避免了电极污染影响碳化硼粉体的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 制备 高纯 碳化 硼粉体 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体制备高纯超细碳化硼粉体的方法，其特征在于，a）通入反应气体，接通高频电源形成等离子体，并通入屏蔽气体；b）硼源通过载气输送进等离子体反应其中；c）硼源与碳源在高温下进行化合反应；d）反应物离开等离子体在冷却系统作用下形成超细粉体；e）粉体在气体的带动下进入收集装置；f）收集产物经洗涤、干燥后得到碳化硼粉体。
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