[发明专利]具有石墨芯的复合晶片及其制造方法有效

申请号：	201510782054.2	申请日：	2011-09-30
公开（公告）号：	CN105428213B	公开（公告）日：	2019-12-17
发明（设计）人：	R.贝尔格;H.格鲁贝尔;W.莱纳特;G.鲁尔;R.弗尔格;A.莫德;H-J.舒尔策;K.凯勒曼;M.佐默;C.罗特迈尔;R.鲁普	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/20;H01L21/762
代理公司：	72001 中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	胡莉莉;刘春元
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及具有石墨芯的复合晶片及其制造方法。根据一个实施例，一种复合晶片包括具有石墨层的载体基板以及附着到载体基板的单晶半导体层。
搜索关键词：	复合晶片载体基板单晶半导体层石墨层石墨芯附着制造
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【主权项】：

1.一种用于制造复合晶片的方法，包括：/n提供包括石墨芯和封装所述石墨芯的保护结构的载体晶片；/n在所述载体晶片和单晶半导体晶片中的至少一个上形成接合层，所述接合层包括碳粉和沥青中的至少一个；以及/n通过所述接合层使所述单晶半导体晶片接合到所述载体晶片；/n其中，所述接合包括采用退火工艺来使所述接合层转化成石墨层。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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