[发明专利]用于半导体封装件的模制层的形成方法有效

专利信息
申请号: 201510782717.0 申请日: 2015-11-16
公开(公告)号: CN106098569B 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 陈宪伟;陈洁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种形成模制层的方法,包括以下操作:形成衬底,衬底具有在其上的至少一个柱结构;翻转具有柱结构的衬底,使得柱结构位于衬底下方;将翻转的衬底的柱结构浸入容纳在容器中的模制材料液中;以及将翻转的衬底的柱结构与容器分离,以形成覆盖柱结构且与柱结构接触的模制层。本发明还提供了一种用于半导体封装件的模制层的形成方法。
搜索关键词: 用于 半导体 封装 模制层 形成 方法
【主权项】:
1.一种形成模制层的方法,包括:形成衬底,在所述衬底上具有至少一个柱结构;翻转具有所述柱结构的衬底,使得所述柱结构面朝下;将翻转的衬底的柱结构浸入容纳在容器中的模制材料液,其中,将所述衬底的柱结构浸入所述模制材料液中的操作包括:将所述模制材料液设置在所述容器中,其中,所述容器具有底座和围绕所述底座的侧壁并且被配置为容纳所述模制材料液,其中,所述侧壁包括:底部部分,与所述底座连接;以及凸缘,从所述底部部分向上延伸,其中,所述底部部分具有未被所述凸缘占用的顶面;以及将所述翻转的衬底的柱结构浸入所述模制材料液中;以及将所述翻转的衬底的柱结构与所述容器分离,以形成覆盖所述柱结构且与所述柱结构接触的模制层。
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