[发明专利]用于半导体封装件的模制层的形成方法有效
申请号: | 201510782717.0 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN106098569B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 陈宪伟;陈洁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种形成模制层的方法,包括以下操作:形成衬底,衬底具有在其上的至少一个柱结构;翻转具有柱结构的衬底,使得柱结构位于衬底下方;将翻转的衬底的柱结构浸入容纳在容器中的模制材料液中;以及将翻转的衬底的柱结构与容器分离,以形成覆盖柱结构且与柱结构接触的模制层。本发明还提供了一种用于半导体封装件的模制层的形成方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 封装 模制层 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成模制层的方法,包括:形成衬底,在所述衬底上具有至少一个柱结构;翻转具有所述柱结构的衬底,使得所述柱结构面朝下;将翻转的衬底的柱结构浸入容纳在容器中的模制材料液,其中,将所述衬底的柱结构浸入所述模制材料液中的操作包括:将所述模制材料液设置在所述容器中,其中,所述容器具有底座和围绕所述底座的侧壁并且被配置为容纳所述模制材料液,其中,所述侧壁包括:底部部分,与所述底座连接;以及凸缘,从所述底部部分向上延伸,其中,所述底部部分具有未被所述凸缘占用的顶面;以及将所述翻转的衬底的柱结构浸入所述模制材料液中;以及将所述翻转的衬底的柱结构与所述容器分离,以形成覆盖所述柱结构且与所述柱结构接触的模制层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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