[发明专利]半导体装置及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置包括半导体基板。此半导体基板上包括第一绝缘材料层及多条位线位于第一绝缘材料层中，其中多条位线彼此平行且沿着第一方向延伸。此半导体装置亦包括第二绝缘材料条状结构横跨位线，形成于第一绝缘材料层中且沿着垂直于第一方向的第二方向延伸。此半导体装置亦包括两列接触窗沟槽，分别形成于第二绝缘材料条状结构两侧。此两列接触窗沟槽是垂直于上述位线且被上述位线分隔成为多个接触窗。上述接触窗在第一方向上的两侧壁分别邻接于第一绝缘材料层及第二绝缘材料条状结构。通过实施本发明，可改善产品良品率，有利于降低生产成本并简化工艺复杂度。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：一半导体基板，其中该半导体基板上包括一第一绝缘材料层及多条位线位于该第一绝缘材料层中，其中所述位线彼此平行且沿着一第一方向延伸；一第二绝缘材料条状结构横跨所述位线，形成于该第一绝缘材料层中且沿着垂直于该第一方向的一第二方向延伸，其中该第二绝缘材料条状结构在该第一方向包括朝向该半导体基板逐渐缩窄的下部分；两列接触窗沟槽，分别形成于该第二绝缘材料条状结构两侧，其中所述接触窗沟槽是垂直于所述位线且被所述位线分隔成为多个接触窗，且其中所述接触窗在该第一方向上的两侧壁分别邻接于该第一绝缘材料层及该第二绝缘材料条状结构。