[发明专利]一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201510783542.5 | 申请日： | 2015-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN105449103B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 田汉民;毕文刚;张天;花中秋;戎小莹;杨瑞霞;王伟 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 胡安朋 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子空穴复合抑制结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅层具备相匹配的能级，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加有SiO2构成的电子空穴复合抑制结构层。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 异质结太阳电池 晶硅 薄膜 电子空穴复合 光吸收层 抑制结构 晶硅层 制备 致密二氧化钛 能级 半导体器件 电子传输层 光能转换 晶硅薄膜 内部短路 透明导电 背电极 漏电流 基底 匹配 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，其特征在于：是一种具有电子空穴复合抑制结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子空穴复合抑制结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅层具备相匹配的能级，在P型薄膜晶硅层与钙钛矿光吸收层之间加有SiO2构成的电子空穴复合抑制结构层；其组成顺序方式是：P型薄膜晶硅层置于透明导电基底上面，电子空穴复合抑制结构层被制备在P型薄膜晶硅层上，钙钛矿光吸收层置于电子空穴复合抑制结构层的上面，并与P型薄膜晶硅层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面，以上六个功能层依次叠加，构成此一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。
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