[发明专利]用于对蚀刻层进行蚀刻的方法以及晶圆蚀刻装置在审
| 申请号： | 201510783788.2 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106098586A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 马尼什·库马尔·辛格;周柏玮;施瑞明;顾文昱;黄秉荣;游弼钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于蚀刻形成在晶圆的正面上的蚀刻层的方法和一种晶圆蚀刻装置。晶圆蚀刻装置包括第一流道、温度调节模块和第二流道。第一流道被配置为运送用以控制晶圆的温度的预热/预冷的液体。温度调节模块连接至第一流道。温度调节模块被配置为控制第一流道中的液体的温度。第二流道被配置为运送用以蚀刻形成在晶圆的正面上的蚀刻层的蚀刻剂。该方法包括：通过使用预热/预冷的液体控制晶圆的温度；以及使用蚀刻剂对蚀刻层进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 进行 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种用于蚀刻形成在晶圆的正面上的蚀刻层的方法，包括：通过使用预热/预冷的液体控制所述晶圆的温度；以及使用蚀刻剂蚀刻所述蚀刻层。
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