[发明专利]晶圆级封装式半导体装置,及其制造方法有效
申请号: | 201510784405.3 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN105609514B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 林蔚峰;杜志雄 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 封装式半导体装置,其包括具有半导体装置被制造在其上的装置晶粒。与该装置晶粒相对的载体层覆盖该半导体装置。坝体结构支撑在该装置晶粒上面的该载体层,该坝体结构设置在其间。该半导体装置进一步包括用以附着该坝体结构至该装置晶粒的第一密封部,及用以附着该坝体结构至该载体层的附着装置。该装置晶粒、该坝体结构、及该载体层形成封装该半导体装置的密封腔室。形成在装置晶圆上的半导体装置的封装方法包括:形成包括载体晶圆及在其上的多个坝体结构的组件。在该形成步骤之后,该方法附着该多个坝体结构至该装置晶圆,以形成各自的多个封装式半导体装置。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 封装 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装式半导体装置,其包含装置晶粒,具有被制造在其上的半导体装置;载体层,与所述装置晶粒相对,用以覆盖所述半导体装置;坝体结构,用以支撑在所述装置晶粒上面的所述载体层,所述坝体结构设置在其间且是由坝体结构材料所形成,所述装置晶粒、所述坝体结构、及所述载体层限定密封腔室,所述密封腔室封装所述半导体装置;第一密封部,用以附着所述坝体结构至所述装置晶粒,所述第一密封部设置在其间且是由除了所述坝体结构材料之外的材料所形成;以及附着装置,用以附着所述坝体结构至所述载体层;坝体结构间封胶,其覆盖所述坝体结构的位于远离所述密封腔室一侧的表面;以及外壁坝体结构,其覆盖所述坝体结构间封胶,所述坝体结构间封胶在多个坝体结构表面与所述外壁坝体结构之间;其中,既不是所述第一密封部,也不是用以附着所述坝体结构至所述载体层的所述附着装置,也不是它们其中的组合,独立地桥接所述装置晶粒与所述载体层之间的缝隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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