[发明专利]一种用于红外探测器桥臂的TiAlV薄膜制作方法在审
| 申请号： | 201510784784.6 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN105439082A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 巨锦华;雷述宇;何熙 | 申请（专利权）人： | 北方广微科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种用于红外探测器桥臂的TiAlV薄膜制作方法，包括：a.提供半导体衬底；b.在所述半导体衬底上溅射形成TiAlV薄膜；其中，溅射温度为：240～260℃，溅射功率为：280～320W，溅射气体氩气流量为60～70sccm；c.对形成的TiAlV薄膜进行刻蚀，形成TiAlV桥臂结构。本发明采用TiAlV材料作为红外探测器桥臂，与同等Ti薄膜工艺相比，可有效降低红外探测器的热导，从而提高红外探测器的响应率，有效降低红外探测器的噪声等效温差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 红外探测器 tialv 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于红外探测器桥臂的TiAlV薄膜制作方法，包括：a.提供半导体衬底；b.在所述半导体衬底上溅射形成TiAlV薄膜；其中，溅射温度为：240～260℃，溅射功率为：280～320W，溅射气体氩气流量为60～70sccm；c.对形成的TiAlV薄膜进行刻蚀，形成TiAlV桥臂结构。
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