[发明专利]一种温度系数小的带隙基准电路有效
申请号: | 201510784936.2 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN105259969B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 亚历山大 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人: | 张倩 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种带温度系数矫正的带隙基准电路,包括运算放大器、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、二极管D1、二极管D2、二极管D3,分别串连在二极管D2上的电阻R2,三极管D3上的电阻R3,还包括译码编码电路,所述电阻R2为有可变电阻R20,电阻R3为有可变电阻R30,可变电阻R30的另一端与MOS管M3的漏端连接,可变电阻R20的另一端与MOS管M2的漏端连接,可变电阻R20和可变电阻R30的滑动端均与译码编码电路的输出端连接。本发明通过测试方法与电路设计的结合,很好的矫正了带隙电路的温度曲线,已达到带隙输出电压随温度工艺稳定,为DRAM芯片在较高的频率下达到SPEC规定的核心性能参数奠定了很高的电压基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 温度 系数 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种温度系数小的带隙基准电路,包括运算放大器、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、二极管D1、二极管D2、二极管D3,分别串连在二极管D2上的电阻R2,三极管D3上的电阻R3,其特征在于:还包括译码编码电路,所述电阻R2为有可变电阻R20,所述电阻R3为有可变电阻R30,所述可变电阻R30的另一端与MOS管M3的漏端连接,所述可变电阻R20的另一端与MOS管M2的漏端连接,所述可变电阻R20和可变电阻R30的滑动端均与译码编码电路的输出端连接;所述译码编码电路的输入端接高温下的调整码和低温下的调整码,所述译码编码电路的输出端输出能够调整可变电阻R20和可变电阻R30大小的控制信号;所述高温下的调整码为根据前端测试的结果在高温下将带隙基准电路的输出电压调整到目标值的逻辑调整码;所述低温下的调整码为根据前端测试的结果在低温下将带隙基准电路的输出电压调整到目标值的逻辑调整码。
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