[发明专利]提高备用存储阵列利用效率的方法有效

专利信息
申请号: 201510785336.8 申请日: 2015-11-16
公开(公告)号: CN105261399B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 亚历山大 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 张倩
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及提高备用存储阵列利用效率的方法。包括以下步骤:1)将第一个备用单元设置为1;2)从选定备用单元中的第一个FUSE开始;3)读取当前FUSE值;如果FUSE为烧断,则FUSE为选定备用单元的主FUSE,并且选定备用单元被使用,执行步骤4);如果读取FUSE没有烧断,则选择下一个备用单元,执行步骤2);4)选择N+1个FUSE,读其FUSE值,并将所读取的FUSE设为当前备用单元的地址FUSE;5)选择下一个备用单元后,执行步骤2)。本发明解决了现有的备用存储阵列的使用方式导致备用单元以及FUSE的浪费,导致备用存储阵列使用效率低的技术问题,本发明可以减少备用存储阵列所需的FUSE个数以提高其修复能力。
搜索关键词: 提高 备用 存储 阵列 利用 效率 方法
【主权项】:
1.一种提高备用存储阵列利用效率的方法,其特征在于:包括以下步骤:1)将第一个备用单元设置为1;2)从步骤1)设置的备用单元中的第一个FUSE开始;3)读取当前FUSE值;如果FUSE为烧断,则FUSE为选定备用单元的主FUSE,并且选定备用单元被使用,执行步骤4);如果读取FUSE没有烧断,则选择下一个备用单元,执行步骤2);4)选择N+1个FUSE,读这N+1个FUSE值,并将所读取的N+1个FUSE值设为当前备用单元的地址FUSE;其中N为存储器支持的地址数;5)选择下一个备用单元后,执行步骤2)。
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