[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510785696.8 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106098557B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;蔡庆威;刘继文;江国诚;廖忠志;连万益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构与其形成方法。一实施例的形成方法包含形成鳍状物于基板上。鳍状物包含第一结晶半导体材料于基板上，以及第二结晶半导体材料于第一结晶半导体材料上。此方法也包含将鳍状物中的至少部份第一结晶半导体材料与第二结晶半导体材料转换成介电材料，并移除至少部份的介电材料。此方法也包含形成栅极结构于鳍状物上，并形成源极/漏极区于栅极结构的相反两侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：形成一鳍状物于一基板上，该鳍状物包括一第一结晶半导体材料于该基板上，以及一第二结晶半导体材料于该第一结晶半导体材料上；使该鳍状物中的至少部份该第一结晶半导体材料与该第二结晶半导体材料转换成一介电材料，其中转换成该介电材料的步骤形成该第一结晶半导体材料的浓缩区，且至少部份该浓缩区位于该第二结晶半导体材料中；移除至少部份该介电材料；形成一栅极结构于该鳍状物上；以及形成源极/漏极区于该栅极结构的相反两侧上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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