[发明专利]采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201510786191.3 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN105448375A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张林;谷文萍;胡笑钏;张赞 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710064 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底和设置在所述衬底上部的N型SiC外延层，N型外延层上刻蚀形成多个台阶，在台阶顶部的中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，在台阶底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，所述N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的N型欧姆接触电极，所述P型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的P型欧姆接触电极；所述台阶顶部除去N型欧姆接触电极的区域设置有α放射源。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 放射源 碳化硅 pin 同位素 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池，其特征在于，包括由SiC基片构成的衬底(1)，衬底(1)上部设置有N型SiC外延层(2)，所述N型SiC外延层(2)上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置均注入形成有N型SiC欧姆接触掺杂区(3)，N型SiC欧姆接触掺杂区(3)上端与台阶顶部齐平，N型SiC欧姆接触掺杂区(3)上端设置有N型欧姆接触电极(5)，所述N型欧姆接触电极(5)的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区(3)形状相同，所述N型欧姆接触电极(5)两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源(7)；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区(4)，P型SiC欧姆接触掺杂区(4)的上部设置有P型欧姆接触电极(6)，所述P型欧姆接触电极(6)形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区(4)形状相同。
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