[发明专利]高度集成相控阵天线独立组件的一体化成型方法在审

专利信息
申请号: 201510786418.4 申请日: 2015-11-16
公开(公告)号: CN105356072A 公开(公告)日: 2016-02-24
发明(设计)人: 谢义水;林奈 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十研究所
主分类号: H01Q23/00 分类号: H01Q23/00;H01Q1/28;H01Q1/38;H01Q1/22
代理公司: 成飞(集团)公司专利中心 51121 代理人: 郭纯武
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提出一种高度集成相控阵天线独立组件的一体化成型方法,旨在提供一种相控阵天线驻波小、幅度和相位一致性好、抗冲击振动能力强的工艺方法。本发明通过下述技术方案予以实现:首先将相控阵天线的辐射单元、功分网络、馈电网络和校准网络、热控系统独立组件集成为辐射单元层、功分馈电网络层和校准热控层真空热压成型一体,形成一体式相控阵天线阵面体,并制出相控阵天线的射频垂直互联金属基座;其次,在相控阵天线阵面体与射频垂直互联金属基座间铺设一层固体胶膜,通过叠层上制出的定位销孔对位叠层,装夹于热压合夹具中;在10Pa以下真空度,170℃~200℃温度、0.5MPa~1.0MPa压力下进行静压热压合,一体化高度集成为相控阵天线独立组件。
搜索关键词: 高度 集成 相控阵 天线 独立 组件 一体化 成型 方法
【主权项】:
一种高度集成相控阵天线独立组件的一体化成型方法,其特征在于包括如下步骤:首先将相控阵天线的辐射单元、功分网络、馈电网络、校准网络和热控系统独立组件集成为辐射单元层、功分馈电网络层和校准热控层,采用多层微带电路制造工艺真空热压成型一体,形成一体式相控阵天线阵面体(3),并制出相控阵天线的射频垂直互联金属基座(1);其次,根据层压压合工序,在相控阵天线阵面体与射频垂直互联金属基座间铺设一层固体胶膜(2),通过叠层上制出的定位销孔对位叠层,将上述一体式相控阵天线阵面体连同上述射频垂直互联金属基座装夹于热压合夹具中,并固定于真空热压机中,在10Pa以下真空度,170℃~200℃温度、0.5MPa~1.0MPa压力下进行热压合成型60min~90min。
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