[发明专利]一种白芦笋的密植高产种植方法有效

专利信息
申请号: 201510787458.0 申请日: 2015-11-17
公开(公告)号: CN105432317B 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 厉广辉;李霞;魏永阳;于继庆;牟萌;包艳存;郑红霞 申请(专利权)人: 山东省潍坊市农业科学院
主分类号: A01G22/10 分类号: A01G22/10;A01G9/14;B32B27/18;B32B27/32;B32B33/00
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 吕翠莲
地址: 261061 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种白芦笋的密植高产种植方法及其专用散光隔热热辐射调控膜,所述的种植方法包括定植步骤。密度为2380~2660株/亩。笋田内芦笋的平均行距为1 m,芦笋种植株距为25~28 cm。定植时,使芦笋幼苗最先抽出的地上茎生长方向与定植行的方向一致,栽后覆土5~6 cm。定植沟宽度1 m,深度0.5 m,相邻两沟的边线间距为1 m。采用本发明方法栽培白芦笋:种植密度为2380~2660株/亩,白芦笋生长旺盛。白芦笋产量为1800‑2000 kg/亩,比传统方法增加40%~50%。
搜索关键词: 一种 芦笋 密植 高产 种植 方法
【主权项】:
1.一种白芦笋的密植高产种植方法,其特征在于:所述的种植方法包括定植步骤;所述的定植步骤:种植密度为2380~2660株/亩;笋田内芦笋定植沟内行距50 cm,沟间行距1.5m,平均行距为1 m,芦笋种植株距为25~28 cm;定植时,使芦笋幼苗最先抽出的地上茎生长方向与定植行的方向一致,栽后覆土5 ~6cm;定植沟宽度1 m,深度0.5 m,相邻两沟的边线间距为1 m;挖定植沟时,将地面以下0~25 cm的熟土层和25 cm以下的生土层分开放置;熟土层的土壤与肥料混匀回填沟底,再将生土层土壤回填至定植沟上部,灌水沉实;所述肥料为:腐熟有机肥和三元复合肥的混合肥料;所述肥料的用量为:每亩地挖出的熟土层土壤混入的肥料包括腐熟有机肥4000~5000kg和三元复合肥50 kg;所述的三元复合肥:氮、磷、钾含量为20%、10%、20%;所述的种植方法还包括覆膜步骤:棚内,气温维持在25 ℃~30 ℃,地表下10 cm地温维持在18 ℃~28 ℃;所述覆膜步骤的膜包括光散射层和光吸收辐射层;所述的光散射层,以重量份计,包括以下组分:金红石型钛白粉 427份PE蜡 20份油酸酰胺 23份LDPE 530份;所述的光吸收辐射层,以重量份计,包括以下组分:LDPE 75份LLDPE 30份炭黑 2份碳化硅粉 15份偶联剂 2份分散剂 1.8份增塑剂 2份PE蜡 5份。
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