[发明专利]半导体器件和绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201510787726.9 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105609487B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | A.里格勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和绝缘栅双极晶体管。半导体器件（500）的晶体管单元区域（610）包括电连接到第一负载电极（310）的晶体管单元（TC）。闲置区域（630）包括电连接到所述晶体管单元（TC）的栅极电极（150）的栅极布线结构（330）。夹在所述晶体管单元区域（610）和所述闲置区域（630）之间的过渡区域（620）包括电连接到感测电极（340）的至少一个传感器单元（SC）。所述传感器单元（SC）在所述晶体管单元（TC）的接通状态期间传递单极电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：晶体管单元区域（610），包括电连接到第一负载电极（310）的晶体管单元（TC）；闲置区域（630），包括电连接到所述晶体管单元（TC）的栅极电极（150）的栅极布线结构（330）；以及过渡区域（620），夹在所述晶体管单元区域（610）和所述闲置区域（630）之间并且包括至少一个传感器单元（SC），所述至少一个传感器单元（SC）电连接到感测电极（340）并且被配置成在所述晶体管单元（TC）的接通状态期间传递单极电流。
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