[发明专利]具有附加氧化物层的栅极结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510788201.7 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106057874A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 林智伟;王智麟;郭康民;连承伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底和形成在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括：形成在衬底上方的栅极介电层和形成在栅极介电层上方的覆盖层。该栅极结构还包括形成在覆盖层上方的覆盖氧化物层和形成在覆盖氧化物层上方的功函金属层。该栅极结构还包括形成在功函金属层上方的栅电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 附加 氧化物 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底；以及栅极结构，形成在所述衬底上方，其中，所述栅极结构包括：栅极介电层，形成在所述衬底上方；覆盖层，形成在所述栅极介电层上方；覆盖氧化物层，形成在所述覆盖层上方；功函金属层，形成在所述覆盖氧化物层上方；和栅电极层，形成在所述功函金属层上方。
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