[发明专利]电阻飘移复原的存储装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201510788683.6 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106504785B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 柯文昇;苏资翔;吴昭谊;李祥邦;张孟凡 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种操作存储装置的方法，该存储装置包括一存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个可编程电阻存储元件。通过施加多个编程脉冲至存储单元，以于N个电阻值指定范围中建立电阻值位准，借此编程阵列中的该些存储单元以存储数据，其中各电阻值指定范围对应于一特定数据值。对阵列中的该些存储单元执行电阻值飘移复原处理，其包括：施加具有一脉冲波形的复原脉冲至一组编程存储单元，其中该组编程存储单元中的存储单元被施加具有该脉冲波形的复原脉冲，使其在二或多个电阻值指定范围中具有电阻值位准。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 飘移 复原 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作存储装置的方法，其特征在于，该存储装置包括一阵列的多个存储单元，该方法包括：通过施加多个编程脉冲至该些存储单元，以于N个电阻值指定范围中建立多个电阻值位准，借此编程该阵列中的该些存储单元以存储数据；对该阵列中的该些存储单元执行一电阻值飘移复原处理，包括：施加一组复原脉冲至一组编程存储单元的该些存储单元，该组复原脉冲包含多个具有一第一脉冲波形的复原脉冲，其中该组编程存储单元中的该些存储单元在至少二个的该些电阻值指定范围中具有电阻值位准，所述第一脉冲波形由包括电压大小的参数来定义,其中N大于2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510788683.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
