[发明专利]一种碳化硅斜角台面刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅斜角台面刻蚀方法，该方法包括下述步骤：在碳化硅样品上沉积第一层刻蚀掩膜层，然后在第一层刻蚀掩膜层上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；去除光刻胶后在表面沉积第二层刻蚀掩膜层，再通过刻蚀工艺进行无掩膜的整体刻蚀去除表面大部分的第二层刻蚀掩膜层，并在侧壁形成倾斜的侧墙结构；使用刻蚀后第二层刻蚀掩膜层作为干法刻蚀掩膜层，对碳化硅样品进行干法刻蚀；干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层完成刻蚀；本发明解决现有技术中对SiC材料进行干法刻蚀所存在的缺点，使碳化硅材料形成不同侧壁形貌。

主权项

1.一种碳化硅斜角台面刻蚀方法，其特征在于包括下述步骤 ：步骤一：在碳化硅样品上采用气相化学沉积设备沉积第一层刻蚀掩膜层；步骤二：在第一层刻蚀掩膜层上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；步骤三：光刻胶作为阻挡层，采用干法刻蚀第一层刻蚀掩膜层；步骤四：去除光刻胶后在第一层刻蚀掩膜层的表面沉积第二层刻蚀掩膜层，采用气相化学沉积设备沉积；步骤五：通过刻蚀工艺进行无掩膜的整体刻蚀，去除表面大部分的第二层刻蚀掩膜层，并在碳化硅样品的侧壁形成倾斜的侧墙结构；步骤六：使用步骤五刻蚀后的第二层刻蚀掩膜层作为干法刻蚀掩膜层，采用干法刻蚀对碳化硅样品进行干法刻蚀；步骤七：干法刻蚀完毕之后去除碳化硅样品表面的刻蚀掩膜层。