[发明专利]崖壁培植石斛的方法在审
| 申请号： | 201510789686.1 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105284386A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 黄其亨 | 申请（专利权）人： | 黄其亨 |
| 主分类号： | A01G1/00 | 分类号： | A01G1/00 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 33221 | 代理人： | 冯燕青 |
| 地址： | 325200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了崖壁培植石斛的方法，所述方法为：将石斛苗固定在丹霞地貌的崖壁上，自然条件下生长。本发明将石斛苗固定在丹霞地貌的悬崖崖壁上，让它在回归的原始的野生状态生长，吸收崖壁上经亿万年风化产生的各种元素和崖壁上常年积累的腐植物为肥料，经历自然冰雪冷冻，自然生长，且由于悬崖崖壁的特殊自然性，害虫无法生存；从而实现不用施肥，不用农药，自然野生状态生长，石斛质量达到最佳。 | ||
| 搜索关键词： | 崖壁 培植 石斛 方法 | ||
【主权项】：
崖壁培植石斛的方法，其特征在于，所述方法为：将石斛苗固定在丹霞地貌的崖壁上，自然条件下生长。
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