[发明专利]具有单层栅极的非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510789715.4 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105810685B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 朴圣根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11531 | 分类号： | H01L27/11531;H01L27/11521;H01L27/11526;H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/11529;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件包括：有源区，有源区沿第一方向延伸并且包括分别设置在有源区的两端的源极区和漏极区；栅电极图案，栅电极图案沿第二方向延伸并且设置在源极区与漏极区之间，其中，第二方向与第一方向交叉地延伸；栅极绝缘图案，栅极绝缘图案设置在栅电极图案与有源区之间；源极接触插塞和漏极接触插塞，源极接触插塞和漏极接触插塞分别耦接至源极区与漏极区；以及耦合接触插塞，耦合接触插塞设置在栅电极图案之上，并且与栅电极图案绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单层 栅极 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：有源区，沿第一方向延伸并且包括分别设置在有源区的两端的源极区和漏极区；栅电极图案，沿第二方向延伸并且设置在源极区与漏极区之间，其中，第二方向与第一方向交叉地延伸；栅极绝缘图案，设置在栅电极图案与有源区之间；源极接触插塞和漏极接触插塞，分别耦接至源极区和漏极区；以及耦合接触插塞，设置在栅电极图案之上并且与栅电极图案绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
