[发明专利]一种杂化异质结太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201510790442.5 | 申请日: | 2015-11-17 |
公开(公告)号: | CN105244445B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 王凤云;张洪超;商蕾;韩振莲 | 申请(专利权)人: | 青岛大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/44;B82Y30/00 |
代理公司: | 青岛高晓专利事务所(普通合伙) 37104 | 代理人: | 白莹;于正河 |
地址: | 266071 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池制备技术领域,涉及一种杂化异质结太阳能电池的制备方法,包括制备导电玻璃基底、制备有序TiO2纳米棒阵列薄膜层、制备Sb2S3纳米薄膜层、制备P3HT纳米薄膜层和制备Ag薄膜电极五个步骤,采用一步低温水热法制备有序TiO2纳米棒阵列薄膜层,再采用化学液相沉积法在有序TiO2纳米棒阵列薄膜层的表面沉积Sb2S3形成Sb2S3纳米薄膜层,然后采用旋转涂膜法在Sb2S3纳米薄膜层的表面沉积P3HT形成P3HT纳米薄膜层,最后采用热蒸镀法或磁控溅射法在P3HT纳米薄膜层的表面镀Ag电极,制备得TiO2/Sb2S3/P3HT杂化异质结太阳能电池;其工艺简单可控,原理科学合理,能耗和生产成本低,操作性强,节能环保,使用环境友好,能够回收再利用,易于大规模生产和推广使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 杂化异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种杂化异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于包括制备导电玻璃基底、制备有序TiO2纳米棒阵列薄膜层、制备Sb2S3纳米薄膜层、制备P3HT纳米薄膜层和制备Ag薄膜电极五个步骤:(1)、制备导电玻璃基底:将厚度为0.8‑2mm的导电玻璃裁剪成尺寸为1‑4cm×1‑4cm的正方形或长方形,依次用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗后用氮气吹干,完成导电玻璃基底的制备;(2)、制备有序TiO2纳米棒阵列薄膜层:将0.2‑0.4ml钛源、10‑15ml质量百分比浓度为37%的盐酸水溶液和20ml去离子水在磁力搅拌下混合均匀,得到20‑30ml的TiO2前驱体溶液,将导电玻璃基底和TiO2前驱体溶液置于容积为50ml和内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜中,在130℃的条件下进行一步低温水热反应15h后将导电玻璃基底取出,再用去离子水清洗导电玻璃基底后在60‑150℃的空气中干燥,得到包裹有有序TiO2纳米棒阵列薄膜层的导电玻璃基底,完成有序TiO2纳米棒阵列薄膜层的制备;(3)、制备Sb2S3纳米薄膜层:将体积为30mL和浓度为0.01‑0.04mol/L的三氯化锑与体积为30mL和浓度为0.1‑0.4mol/L的硫代硫酸钠倒入烧杯中混合均匀,采用常规的化学液相沉积法将步骤(2)得到的导电玻璃基底置于烧杯中在0℃的条件下沉积1‑5h,取出导电玻璃基底并用去离子水清洗后在氮气气氛中烘干,然后将导电玻璃基底置于250‑400℃条件下的氮气气氛中退火晶化1‑3h,得到包裹有TiO2/Sb2S3复合纳米棒阵列薄膜层的导电玻璃基底,完成Sb2S3纳米薄膜层的制备;(4)、制备P3HT纳米薄膜层:采用常规的旋转涂膜法在步骤(4)制得的导电玻璃基底的表面沉积一层P3HT在150℃条件下退火0.5‑2h,得到包裹有TiO2/Sb2S3/P3HT复合纳米棒阵列薄膜层的导电玻璃基底,完成P3HT纳米薄膜层的制备;(5)、制备Ag薄膜电极:在真空条件下使用常规的热蒸镀法或磁控溅射法在步骤(4)制得的导电玻璃基底的表面镀Ag电极,得到TiO2/Sb2S3/P3HT杂化异质结太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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