[发明专利]用于管芯探测的结构有效
| 申请号： | 201510790632.7 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105990291B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 封装件包括器件管芯，器件管芯包括位于器件管芯的顶面处的金属柱和位于金属柱的侧壁上的焊料区。模制材料环绕器件管芯，其中，模制材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。介电层与模制材料和器件管芯重叠，其中介电层的底面与器件管芯的顶面和模制材料的顶面接触。再分布线(RDL)延伸至介电层内以电连接至金属柱。本发明的实施例还涉及用于管芯探测的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 管芯 探测 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，包括：器件管芯，包括：金属柱，位于所述器件管芯的顶面处；和焊料区，位于所述金属柱的侧壁上；模制材料，环绕所述器件管芯，其中，所述模制材料的顶面与所述器件管芯的顶面齐平；介电层，与所述模制材料和所述器件管芯重叠，其中，所述介电层的底面与所述器件管芯的顶面和所述模制材料的顶面接触；以及再分布线(RDL)，延伸至所述介电层内以电连接至所述金属柱。
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