[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510790930.6 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106067422B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 周振成;张简旭珂;吴政达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法。多个沟槽形成在衬底中。沟槽限定位于其之间的至少一个鳍。鳍被氢退火。介电材料形成在沟槽中。沟槽中的介电材料被凹入。本发明还提供了一种半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底中形成多个沟槽，其中所述沟槽限定位于所述沟槽之间的至少一个鳍；氢退火所述鳍；在所述沟槽中形成介电材料；以及在所述沟槽中凹入所述介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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