[发明专利]一种砷化镓晶片的抛光方法有效
| 申请号： | 201510791454.X | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105382676A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 周铁军;刘锋;肖进龙;刘留 | 申请（专利权）人： | 广东先导半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于砷化镓领域，尤其涉及一种砷化镓晶片的抛光方法。本发明提供的方法包括：依次使用氧化剂和还原剂作为抛光液对待抛光砷化镓晶片进行化学机械抛光，得到抛光后砷化镓晶片。本发明提供的抛光方法将氧化性抛光液与还原性抛光液配合使用，减少了砷化镓晶片表面抛光液的残留，提高砷化镓晶片的成品率。实验结果表明，相比于单纯使用氧化性抛光液，采用本发明提供的抛光方法对砷化镓晶片进行抛光可以有效降低晶片表面的抛光液残留。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓晶片的抛光方法，包括以下步骤：依次使用氧化剂和还原剂作为抛光液对待抛光砷化镓晶片进行化学机械抛光，得到抛光后砷化镓晶片。
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