[发明专利]磁性薄膜结构及其制造、使用方法和磁敏传感单元、阵列

摘要

本发明属于磁敏传感器制造领域。具体本发明涉及磁性薄膜结构及其制造、使用方法和磁敏传感单元、阵列。本发明提供的纳米磁性薄膜结构及三维磁敏传感单元或三维磁敏传感器，采用单一结构一次沉积成膜，仅一次微纳米图形加工就可获得集成三维磁敏传感单元和磁敏传感器，不仅具有加工简单、成本低的优点还大大提高了三维磁性传感器的集成度、器件稳定性和重复性，显著优于现有三维磁敏传感器的技术。

主权项

一种纳米磁性薄膜结构，依次包括：第一磁性层、第一绝缘层、第二磁性层、第二绝缘层和第三磁性层；其特征在于，所述第一磁性层和第三磁性层具有自发面内磁各向异性，同时所述第一磁性层和所述第三磁性层的易磁化方向相互正交；所述第二磁性层具有自发垂直磁各向异性，同时，所述第二磁性层可根据施加于其上的电压的变化实现易磁化方向在垂直膜面和膜面内的转变；所述第一磁性层具有面内磁化矫顽力Hc1^∥，第二磁性层具有垂直磁化矫顽力Hc2^⊥；第三磁性层具有面内磁化矫顽力Hc3^∥；所述第二磁性层易磁化方向转为面内时具有面内磁化矫顽力Hc2^∥；其满足关系：Hc1^∥>Hc2^⊥> Hc3^∥>Hc2^∥。