[发明专利]一种GaN器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510791720.9 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105244378A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都嘉石科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，通过提供一种GaN器件及其制作方法，该器件包括由下至上依次设置的衬底、AlN成核层、GaN过渡层、AlN隔离层、AlGaN势垒层、GaN帽层，在所述GaN帽层上的器件区域设置的栅极、源极和漏极，在所述GaN帽层的器件区域两侧的探测区域开设有凹槽，所述凹槽从所述GaN帽层的表面嵌入延伸至所述AlN成核层，所述凹槽的AlN成核层上形成有电极，从而在不影响该GaN器件的工作状态下，实现GaN器件工作状态的监控的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN器件，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、AlN成核层、GaN过渡层、AlN隔离层、AlGaN势垒层、GaN帽层，在所述GaN帽层上的器件区域设置的栅极、源极和漏极，在所述GaN帽层的器件区域两侧的探测区域开设有凹槽，所述凹槽从所述GaN帽层的表面嵌入延伸至所述AlN成核层，所述凹槽内的AlN成核层上形成有电极。
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