[发明专利]利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法有效
| 申请号： | 201510792045.1 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106711019B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张波;孟骁然;俞文杰;狄增峰;张苗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属‑半导体合金的方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底；2）在半导体衬底表面形成石墨烯；3）对石墨烯进行离子注入，以得到密度可控的缺陷石墨烯；4）在缺陷石墨烯表面形成金属层；5）对步骤4）得到的结构进行退火处理，形成金属‑半导体合金层。通过在半导体衬底与金属层之间形成石墨烯插入层，可以有效地改善半导体衬底与金属‑半导体合金层的界面的接触特性，外延得到的金属‑半导体合金层质量更好、性能更加稳定；石墨烯插入层具有较高的电子迁移率，可以有效地降低外延生长的金属‑半导体合金层电阻及半导体衬底与金属‑半导体合金层的接触电阻，从而提高其电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 半导体合金 金属 插入层 衬底 半导体 有效地 可控 制备 金属-半导体合金 半导体衬底表面 表面形成金属 电子迁移率 电学性能 接触电阻 接触特性 退火处理 外延生长 金属层 可控的 电阻 离子 | ||
【主权项】：
1.一种利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属‑半导体合金的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1)提供半导体衬底；2)在所述半导体衬底表面形成石墨烯；3)对所述石墨烯进行离子注入，以得到密度可控的缺陷石墨烯；4)在所述缺陷石墨烯表面形成金属层；5)对步骤4)得到的结构进行退火处理，形成金属‑半导体合金层，退火过程中，所述缺陷石墨烯用于调节所述半导体衬底与所述金属层反应的速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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