[发明专利]一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路有效
| 申请号： | 201510792290.2 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105245221B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 唐明华;陈毅华;燕少安;张万里 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 颜昌伟 |
| 地址： | 411105*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管；第一、第二、第五场效应晶体管各自的栅极分别相连，第一、第三、第五场效应晶体管各自的漏极分别相连，第一场效应晶体管的源极与第二场效应晶体管的漏极相连，第二、第四场效应晶体管各自的源极分别与电源相连，第四、第五、第六场效应晶体管各自的栅极分别相连，第四、第六场效应晶体管各自的漏极与第三场效应晶体管的栅极相连，第五、第六、第三场效应晶体管各自的源极都接地。本发明不仅能够完成普通反相器的逻辑功能，还具备优异的抗辐照性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 场效应 晶体管 粒子 效应 加固 电路 | ||
【主权项】：
1.一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路，其特征在于：包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管；第一场效应晶体管的栅极、第二场效应晶体管的栅极、第五场效应晶体管的栅极相连作为输入端，第一场效应晶体管的漏极、第三场效应晶体管的漏极、第五场效应晶体管的漏极相连作为输出端，第一场效应晶体管的源极与第二场效应晶体管的漏极相连，第二场效应晶体管的源极与电源相连，第四场效应晶体管的栅极、第六场效应晶体管的栅极与第五场效应晶体管的栅极相连，第四场效应晶体管的漏极、第六场效应晶体管的漏极与第三场效应晶体管的栅极相连，第四场效应晶体管的源极与电源相连，第五场效应晶体管的源极、第六场效应晶体管的源极、第三场效应晶体管的源极都接地；所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管均为P沟道场效应晶体管，第五场效应晶体管、第六场效应晶体管均为N沟道场效应晶体管。
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