[发明专利]高透节能玻璃用TZO半导体材料的制备方法有效
| 申请号： | 201510793341.3 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105272210A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 孔伟华 | 申请（专利权）人： | 南京迪纳科光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/453;C04B35/622;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 蒋常雪 |
| 地址： | 211178 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高透节能玻璃用TZO半导体材料及其制备方法，以ZnO和SnO2粉体为要原料；混合均匀，制造素坯，干燥、烧结、加工得到相对密度95%以上氧化锌锡半导体材料；体电阻率≦6×10-2Ω.cm，用做磁控溅射靶材制造透过率≥85%Low-E玻璃，取代目前大量使用的锌锡合金镀膜材料，其用于磁控溅射生产氧化锌锡膜的生产过程更加稳定，生产工艺更为简单，溅射速率高，生产效率提高5%以上,大面积镀膜膜层成分均匀组织细密，同时降低了制造双银三银Low-E玻璃对于溅射设备的要求，尤其在制造大尺寸高透Low-E玻璃方面极具优势。 | ||
| 搜索关键词： | 节能 玻璃 tzo 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高透节能玻璃用TZO半导体材料及其制备方法，其特征在于，包括下列步骤：A. 以纯度大于99.95%的ZnO粉体和纯度大于99.9%的SnO2粉体为主成分，其中ZnO粉体的重量比为40‑80%，SnO2粉体的重量比20‑60%，主成分平均粒径为0.05‑20微米；B. 将以上构成的粉体充分混合均匀后, 用注模成型或者冷等静压成型制造相对密度大于50%的素坯，经25℃‑110℃空气干燥，然后在1200‑1600℃空气或氩气气氛炉烧结致密，经过加工得到相对密度95%以上的陶瓷半导体材料。
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