[发明专利]检测基材中的缺陷的存在与位置的方法

摘要

揭露一种检测基材上的缺陷的存在与位置的方法。在一实施方式中，此方法可包含：利用外延成长制程形成半导体材料于参考晶圆的多个开口中；对参考晶圆进行一或多个量测，以获得基线信号；形成多个栅极堆叠与多个应力源区于多个基材中；于形成栅极堆叠后，形成前述半导体材料于批次晶圆中的多个开口中；对批次晶圆进行前述的一或多个量测，以获得批次信号；比较批次信号与基线信号；以及基于前述的比较，判断一缺陷是否存在于这些基材上。此方法可避免制造半导体元件的基材损伤，且可提早检测缺陷，而可缩短生产周期，更可仅舍弃有缺陷的半导体元件，而非舍弃整批，故可降低浪费而节省成本。

主权项

1.一种检测基材中的缺陷的存在与位置的方法，其特征在于包含：形成介电层于晶圆上；形成多个开口延伸穿过所述介电层并进入所述晶圆中；外延形成半导体材料于所述开口中；对具有所述半导体材料形成于其中的每一所述开口进行一或多个量测；以及根据所述量测判断基材上的缺陷的存在，其中所述晶圆的所述开口的多个位置与所述基材中的多个凹陷的多个位置之间有一对一的对应。