[发明专利]具有复合间隔件的存储器件及其制造方法

摘要

存储器件包括第一电极、第二电极、存储元件、间隔件和阻挡结构。第二电极与第一电极相对。存储元件设置在第一电极和第二电极之间。间隔件形成在第二电极的侧壁上，并且间隔件具有设置在间隔件的顶面上的凹口。阻挡结构嵌入在间隔件的侧部中，并且阻挡结构具有越过凹口的底向上延伸的顶。此外，还公开了制造存储器件的方法。

主权项

1.一种形成存储器件的方法，包括：形成包括半导体衬底上方的存储元件的堆叠部件；形成覆盖所述堆叠部件和所述半导体衬底的间隔件薄膜；形成覆盖所述间隔件薄膜的阻挡层；通过蚀刻剂蚀刻所述阻挡层和所述间隔件薄膜以形成设置在所述堆叠部件的侧壁上的间隔件和嵌入在所述间隔件的侧部中的阻挡结构，其中，所述阻挡层具有对蚀刻剂的抗蚀刻性，所述阻挡层的对蚀刻剂的抗蚀刻性大于所述间隔件薄膜的对蚀刻剂的抗蚀刻性；形成覆盖所述堆叠部件、所述间隔件和所述阻挡结构的介电层。