[发明专利]一种光栅掩模与硅片{111}晶面的对准方法

摘要

本发明提供了一种光栅掩模与硅片{111}晶面的对准方法，包括以下步骤：A)在硅片上制作具有光栅衍射特性的多个对准标志图形，各对准标志图形具有与所述硅片的定位边平行的两长边；B)将步骤A)得到的硅片进行湿法刻蚀，使所述对准标志图形的长边沿着硅片的{111}晶面截止，得到具有多个第一对准标志图形的硅片；C)定位表征光栅掩模的基准线，采用激光照射所述多个第一对准标志图形的长边，得到所述多个第一对准标志图形的长边的衍射斑，将所述基准线与所述衍射斑重合。该对准方法只需要制作一次对准标志图形，无需显微镜观察比较，便可零误差定位{111}晶面，并利用其衍射特性进行表征。该方法对准总误差≤±0.016°。

主权项

1.一种适用于高线密度透射光栅的光栅掩模与硅片{111}晶面的对准方法，包括以下步骤：A)，在硅片上制作具有光栅衍射特性的多个对准标志图形，各对准标志图形具有与所述硅片的定位边平行的两长边；B)，将步骤A)得到的硅片进行湿法刻蚀，使所述对准标志图形的长边沿着硅片的{111}晶面截止，得到具有多个第一对准标志图形的硅片；C)，定位表征光栅掩模的基准线，采用激光照射所述多个第一对准标志图形的长边，得到所述多个第一对准标志图形的长边的衍射斑，将所述基准线与所述衍射斑重合。