[发明专利]具有紧凑多路变压器功率合成器的电子装置和方法有效

专利信息
申请号: 201510795094.0 申请日: 2015-11-18
公开(公告)号: CN105720925B 公开(公告)日: 2019-04-02
发明(设计)人: H·徐;G·帕拉斯卡斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/20
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;岳磊
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了具有实施紧凑和对称的多路变压器功率合成器的结构的设备。在实施例中,多个单元装置元件的每个单元装置元件可包括在单元装置元件顶部上的两个金属层,所述单元装置元件通过两个金属层中的一个金属层耦合到多路变压器功率合成器,使得单元装置元件与多路变压器功率合成器的配置是对称的。本发明还公开了额外的设备、系统和方法。
搜索关键词: 具有 紧凑 变压器 功率 合成器 电子 装置 方法
【主权项】:
1.一种电子装置,其包括:多路变压器功率合成器,其具有在基板上的对称布局;以及多个单元装置元件,每个单元装置元件具有在所述单元装置元件内的结构布局,所述结构布局在对称性上与所述多个单元装置元件的其它单元装置元件的结构布局相同,每个单元装置元件包括:有源装置;以及在所述单元装置元件顶部的两个金属层,所述单元装置元件通过两个金属层中的一个金属层耦合到所述多路变压器功率合成器,以形成所述单元装置元件与所述多路变压器功率合成器的对称配置,其中,所述两个金属层的第一金属层耦合到有源装置以收集来自所述有源装置的信号,并且在所述单元装置元件中与所述第一金属层具有约45度偏移的所述两个金属层的第二金属层耦合到所述多路变压器功率合成器,以将来自所述单元装置元件的信号馈送到所述多路变压器功率合成器。
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