[发明专利]一种从薄膜表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法在审
| 申请号： | 201510796467.6 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105297137A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李财富;刘志权 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种从薄膜表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法，可以实现锡纳米线/微米线直径和长度的可控制备，属于金属纳米材料制备领域。该方法通过硅/锡薄膜的制备、高温存放等，即可制备出直径和长度可控的单晶锡纳米线/微米线。该方法可以通过调节薄膜的晶粒尺寸来实现不同直径锡纳米线/微米线的制备，其直径范围为10nm～10μm；通过调节存放条件来实现不同长度锡纳米线/微米线的制备，长度范围为100nm～1mm。本发明制备过程简单，优于纳米线制备的常用化学方法，省去了模板的制备和溶解等工艺过程，为锡纳米线/微米线的可控制备提供了一种新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 表面 可控 制备 单晶锡 纳米 微米 方法 | ||
【主权项】：
一种从薄膜表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法，其特征在于：该方法首先在硅基板上制备厚度为10nm～200μm的多晶锡薄膜，获得硅/锡复合薄膜，然后将硅/锡复合薄膜在高温条件下存放，即在多晶锡薄膜表面生长出所述单晶锡纳米线/微米线；通过控制硅/锡复合薄膜内部的压应力变化，能够控制所生长的单晶锡纳米线/微米线的长度、密度及生长速度，通过控制所述多晶锡薄膜中锡的晶粒尺寸，能够控制所生长的单晶锡纳米线/微米线的直径。
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