[发明专利]冷却腔室及半导体加工设备

摘要

本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其包括承载装置、透视窗、反射镜和红外测温器，其中，透视窗设置在冷却腔室的腔室壁上，被加工工件辐射出的红外光线经由透视窗照射至反射镜上；反射镜设置在冷却腔室的外侧，用以将照射至反射镜上的红外光线反射至红外测温器；红外测温器用于接收由反射镜反射而来的红外光线，并根据红外光线的强度进行计算，而获得被加工工件的温度。本发明提供的冷却腔室，其可以避免因冷却速度过快或过慢而造成的晶片破裂或者薄膜质量恶化或者设备产能低下的问题。

主权项

1.一种冷却腔室，包括设置在所述冷却腔室内的承载装置，用于承载被加工工件，其特征在于，还包括透视窗、反射镜和红外测温器，其中，所述透视窗设置在所述冷却腔室的腔室壁上，所述被加工工件辐射出的红外光线经由所述透视窗照射至所述反射镜上；所述反射镜设置在所述冷却腔室的外侧，用以将照射至所述反射镜上的所述红外光线反射至所述红外测温器；所述红外测温器用于接收由所述反射镜反射而来的所述红外光线，并根据所述红外光线的强度进行计算，而获得所述被加工工件的温度；所述承载装置包括片盒和片盒驱动装置，其中，所述片盒用于承载多个被加工工件，且多个被加工工件沿竖直方向间隔设置；所述片盒驱动装置用于驱动所述片盒沿竖直方向上升或下降，以使所述片盒中的各个被加工工件逐一位于测温基准位置；所述测温基准位置为所述被加工工件所在位置满足由其辐射出的红外光线经由所述透视窗照射至所述反射镜上，并被所述反射镜反射至所述红外测温器；所述测温基准位置与所述冷却腔室的底壁之间的竖直间距采用以下公式获得：L3＝L2+(L1+d)×tanθ其中，L3为所述测温基准位置与所述冷却腔室的底壁之间的竖直间距；L1为所述被加工工件的边缘与所述冷却腔室的侧壁之间的水平间距；L2为所述透视窗在竖直方向上的中心点与所述冷却腔室的底壁之间的竖直间距；d为所述红外测温器测量所述红外光线的直径；θ为所述红外光线与所述被加工工件的检测表面之间的夹角。