[发明专利]用于双压MEMS器件的密封和屏蔽的方法在审
申请号: | 201510800507.X | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN106082104A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 张贵松 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及MEMS衬底。在一些实施例中,MEMS衬底包括具有微电子机械系统(MEMS)器件的器件衬底以及定位在邻近MEMS器件的位置处的器件衬底上方的接合材料的层。盖衬底具有设置在邻接接合材料的层的表面内的凹陷。盖衬底内的凹陷形成垂直设置在器件衬底和盖衬底之间并且邻接MEMS器件的室。一个或多个压力调节通道垂直设置在器件衬底和盖衬底之间并且从室的侧壁向外横向延伸。本发明的实施例还涉及用于双压MEMS器件的密封和屏蔽的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 mems 器件 密封 屏蔽 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微电子机械系统衬底,包括:器件衬底,具有微电子机械系统器件;接合材料的层,定位在邻近所述微电子机械系统器件的位置处的所述器件衬底上方;盖衬底,包括设置在邻接所述接合材料的层的表面内的凹陷,所述凹陷形成垂直设置在所述器件衬底和所述盖衬底之间并且邻接所述微电子机械系统器件的室;一个或多个压力调节通道,垂直设置在所述器件衬底和所述盖衬底之间并且从所述室的侧壁向外横向延伸;一个或多个通气孔,延伸穿过所述盖衬底至与所述一个或多个压力调节通道连通的位置;以及密封件,从所述盖衬底上方延伸至所述一个或多个通气孔内;以及导电屏蔽层,从所述密封件的上表面延伸至所述盖衬底的上表面;其中,所述盖衬底的上表面与所述密封件的上表面共面。
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