[发明专利]用于双压MEMS器件的密封和屏蔽的方法在审

专利信息
申请号: 201510800507.X 申请日: 2015-11-19
公开(公告)号: CN106082104A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 张贵松 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及MEMS衬底。在一些实施例中,MEMS衬底包括具有微电子机械系统(MEMS)器件的器件衬底以及定位在邻近MEMS器件的位置处的器件衬底上方的接合材料的层。盖衬底具有设置在邻接接合材料的层的表面内的凹陷。盖衬底内的凹陷形成垂直设置在器件衬底和盖衬底之间并且邻接MEMS器件的室。一个或多个压力调节通道垂直设置在器件衬底和盖衬底之间并且从室的侧壁向外横向延伸。本发明的实施例还涉及用于双压MEMS器件的密封和屏蔽的方法。
搜索关键词: 用于 mems 器件 密封 屏蔽 方法
【主权项】:
1.一种微电子机械系统衬底,包括:器件衬底,具有微电子机械系统器件;接合材料的层,定位在邻近所述微电子机械系统器件的位置处的所述器件衬底上方;盖衬底,包括设置在邻接所述接合材料的层的表面内的凹陷,所述凹陷形成垂直设置在所述器件衬底和所述盖衬底之间并且邻接所述微电子机械系统器件的室;一个或多个压力调节通道,垂直设置在所述器件衬底和所述盖衬底之间并且从所述室的侧壁向外横向延伸;一个或多个通气孔,延伸穿过所述盖衬底至与所述一个或多个压力调节通道连通的位置;以及密封件,从所述盖衬底上方延伸至所述一个或多个通气孔内;以及导电屏蔽层,从所述密封件的上表面延伸至所述盖衬底的上表面;其中,所述盖衬底的上表面与所述密封件的上表面共面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510800507.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top