[发明专利]一种在FTO衬底上制备铜锌锡硫半导体薄膜的方法及应用在审
| 申请号： | 201510801054.2 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105470112A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陶万库;魏爱香;招瑜;刘俊 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在FTO衬底上制备铜锌锡硫半导体薄膜的方法，该方法包括：将溶剂、铜源、锌源、锡源、硫源以及表面活性剂混合均匀制得反应前驱液；将FTO导电玻璃与反应前驱液充分接触，在微波条件下充分反应后，在FTO导电玻璃上制备得到铜锌锡硫半导体薄膜。本发明的铜锌锡硫半导体薄膜制备方法具有所需设备和制备工艺简单、成本低廉且速度快，可直接得到物相均匀、结晶良好、纯度较高的铜锌锡硫半导体薄膜等优点，并且由本发明方法所制得的CZTS半导体薄膜在染料敏化太阳能电池和薄膜太阳能电池制作应用中具有良好的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fto 衬底 制备 铜锌锡硫 半导体 薄膜 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种在FTO衬底上制备铜锌锡硫半导体薄膜的方法，其特征在于：该方法包括：A、将溶剂、铜源、锌源、锡源、硫源以及表面活性剂混合均匀制得反应前驱液；B、将FTO导电玻璃与反应前驱液充分接触，在微波条件下充分反应后，在FTO导电玻璃上制备得到铜锌锡硫半导体薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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