[发明专利]一种碳化硅器件的正面欧姆接触的加工方法有效
| 申请号： | 201510801824.3 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105470119B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 何钧;李昀佶;倪炜江;高怡瑞;牛喜平 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 李彦波;张文祎 |
| 地址： | 100192 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅器件的正面欧姆接触的加工方法，包括如下步骤：利用掩膜通过离子注入的方法在N型漂移层内形成至少一个P型离子注入层；在N型漂移层和P型离子注入层的表面涂布一层图形化的光刻胶层，该光刻胶层在每一个P型离子注入层表面的需要形成欧姆接触的区域形成一个开窗；高温激活P型离子注入层的P型离子，光刻胶层在高温激活的过程中形成碳膜；去除N型漂移层和P型离子注入层表面的碳膜；在去除碳膜后的N型漂移层和P型离子注入层的表面沉积一层金属层，然后进行退火处理，以形成肖特基接触和欧姆接触。所述加工方法能够改善碳化硅器件的正面欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 器件 正面 欧姆 接触 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅器件的正面欧姆接触的加工方法，其特征在于，该加工方法包括如下步骤：利用掩膜通过离子注入的方法在N型漂移层内形成至少一个P型离子注入层；在N型漂移层和P型离子注入层的表面涂布一层图形化的光刻胶层，该光刻胶层在每一个P型离子注入层表面的需要形成欧姆接触的区域形成一个开窗；高温激活P型离子注入层的P型离子，光刻胶层在高温激活的过程中形成碳膜；去除N型漂移层和P型离子注入层表面的碳膜；在去除碳膜后的N型漂移层和P型离子注入层的表面沉积一层金属层，然后进行退火处理，以在金属层与N型漂移层的分界面处形成肖特基接触，且在金属层与P型离子注入层的分界面的与开窗对应的位置处形成欧姆接触；其中所述高温激活的温度为1500‑1900摄氏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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