[发明专利]一种钙钛矿膜的制备方法和应用有效
申请号: | 201510802508.8 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN105470400B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 谭占鳌;郭强;王志斌;李聪;王福芝;戴松元 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
地址: | 102206 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于钙钛矿光电材料与器件技术领域,特别涉及一种钙钛矿膜的制备方法和应用。所述钙钛矿膜的制备方法为:将铅源和胺盐分别溶于有机溶剂中,得到铅源前驱体溶液和胺盐前驱体溶液;将上述两种前驱体溶液分别旋涂于两个基底上,加热除去溶剂,得到均匀的膜;将两片膜对贴,中间用垫片隔开,并形成近距离空间,真空加热使胺盐升华与铅源反应,得到钙钛矿膜。该方法可用于制备钙钛矿太阳电池的钙钛矿膜和钙钛矿发光器件的钙钛矿膜。与传统的一步法和两步法相比,采用本方法制备的钙钛矿层具有更好的形貌,适合于制备大面积的光电器件,应用到器件中显著地提高了器件的性能和实验的批次重复性。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 前驱体溶液 胺盐 铅源 制备 制备方法和应用 器件技术领域 形貌 制备钙钛矿 发光器件 钙钛矿层 光电材料 光电器件 有机溶剂 真空加热 传统的 近距离 两步法 一步法 垫片 对贴 隔开 基底 可用 片膜 溶剂 旋涂 加热 升华 应用 | ||
【主权项】:
1.一种钙钛矿膜的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:将铅源和胺盐分别溶于有机溶剂中,得到铅源前驱体溶液和胺盐前驱体溶液;将上述两种前驱体溶液分别旋涂于两个基底上,加热除去溶剂,得到均匀的膜;将两片膜对贴,中间用垫片隔开,并形成近距离空间,真空加热使胺盐升华与铅源反应,得到钙钛矿膜;所述基底为玻璃衬底或聚酯薄膜衬底;所述铅源为PbBr2或PbI2,所述胺盐为CH3NH3I或CH3NH3Br;所述PbBr2的浓度为20~80mg/ml,所述PbI2的浓度为300~400mg/ml,两者所用溶剂均为N,N‑甲基甲酰胺;所述CH3NH3I的浓度为40~60mg/ml,所述CH3NH3Br的浓度为20~40mg/ml,两者所用溶剂均为异丙醇;所述铅源前驱体溶液旋涂时的转速为1500~2000rpm,加热除去溶剂时的温度和时间分别为80~100℃和10~15min;所述胺盐前驱体溶液旋涂时的转速为1000rpm~1500rpm,加热除去溶剂时的温度和时间分别为80℃和5~10min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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