[发明专利]自动感知导弹运行状态的低功耗履历电路

摘要

自动感知导弹运行状态的低功耗履历电路，主要包括MCU主控芯片及其外围电路的连接。连接方式：FLASH存储器通过SPI协议连接MCU对应SPI口；高低速晶体振荡电路分别与MCU的高低速时钟接口连接；RS‑232电平转换芯片通过USART方式与MCU接口连接；RS‑232电平转换芯片与串转USB接口连接；电源电路与MCU电源端相连；外部导弹信号处理电路与MCU对应接口的连接。本电路可以有效解决现阶段采用纸质履历本记录的不足，使履历信息记录更加方便、准确、全面和可信，并促使履历信息的规范化。

主权项

1.自动感知导弹运行状态的低功耗履历电路，其特征在于:包括MCU主控芯片、FLASH存储器、晶体振荡电路、接口芯片、RS‑232电平转换芯片、电源电路、信号处理电路；MCU主控芯片通过SPI接口连接FLASH存储器，在MCU主控芯片的高低速时钟口处分别连接高速和低速晶体振荡电路；通过MCU主控芯片的USART方式与RS‑232电平转换芯片相连，MCU主控芯片的外围接口连接电源电路和信号处理电路；初始化设置时，设置MCU主控芯片为ACTIVE‑HALT工作模式，该模式下，选择低速晶体振荡电路，并设置空闲引脚为输出口且输出低电平；FLASH存储器配置为POWERDOWN模式；电源电路控制电池为MCU主控芯片供电；弹体上引出的载机地线GND、联锁线11mA和26V电源线接入信号处理电路，由信号处理电路将输入的信号转换为MCU主控芯片可识别的高低电平信号；当MCU主控芯片检测到输入的某一个信号高低电平状态信号发生变化时，MCU主控芯片根据信号的变化唤醒并工作在正常模式下，正常模式下，MCU主控芯片将接收的该信号高低电平信号状态连同低速晶体振荡电路产生的基准时钟信号时间信息一起存入FLASH存储器中；当需要查看FLASH存储器存储的信息或者进行写入、更改、擦除以及时间校正时，通过上位机发出相应指令至MCU主控芯片，MCU主控芯片通知电源电路，由电源电路利用将外部电源降压处理后得到的电压对MCU主控芯片进行供电，MCU主控芯片根据指令将FLASH存储器中的信号进行修改、筛选并选择高速晶体振荡电路，在高速晶体振荡电路产生的基准时钟信号的控制下将降待查看信号发送至RS‑232电平转换芯片，RS‑232电平转换芯片将接收的信号由TTL转换为232电平发送至上位机；所述的信号处理电路包括联锁线11mA信号处理电路、载机地线GND信号处理电路和26V电源线信号处理电路；所述的联锁线11mA信号处理电路以运算放大器U3为基本结构，外接电阻R32、R33、R34、R35和电容C31、C32；联锁线11mA信号从运算放大器U3的IN+口输入，同时连接R34一端到地；运算放大器U3的反向输入接R35和R32，R35另外一端接地，R32另一端接运算放大器U3的输出端；运算放大器U3的输出端接电阻R33，R33另一端为输出端SIGN2.5，并接电容C31到地，运算放大器U3的电源端接3.3V电源，同时接入C32到地，运放地端接地；所述的26V电源线信号处理电路以光电耦合器U4为基本结构，光电耦合器U4发光管端的正极连接电阻R42、电阻R41的一端，二极管D41的负极；U4发光管端的负极连接电阻R42的另一端，电阻R44一端以及二极管D41的正极；电阻R41的另一端为光电耦输入端口IN28；光电耦合器U4三极管端的发射极连接电阻R44的另一端，同时接地，集电极连接电阻R43一端，同时作为光电耦输出端口OUT28，电阻R43另一端接3.3V电源。