[发明专利]衬底刻蚀方法在审
| 申请号： | 201510807377.2 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN106783584A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 钦华林 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的衬底刻蚀方法，用于在二氧化硅衬底的待刻蚀表面刻蚀深孔，其包括以下步骤刻蚀步骤，采用刻蚀产物为气体的含氟类气体作为主刻蚀气体以及惰性气体作为辅助气体进行各向异性刻蚀，以增加刻蚀深度；沉积步骤，采用碳氟类气体作为沉积气体在深孔的侧壁和底部沉积一层聚合物；循环进行上述两个步骤，直至达到所需的总刻蚀深度。使深孔刻蚀能够在一致的温度下进行，避免了由于温差导致的整个刻蚀时间的延长，提高了平均刻蚀速率，适合工艺量产。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底刻蚀方法，用于在二氧化硅衬底的待刻蚀表面刻蚀深孔，其特征在于，包括以下步骤：沉积步骤，采用碳氟类气体作为沉积气体在图形侧壁和底部沉积一层聚合物；刻蚀步骤，采用刻蚀产物为气体的含氟类气体作为主刻蚀气体以及惰性气体作为辅助气体进行各向异性刻蚀，以增加刻蚀深度；循环进行所述沉积步骤和所述刻蚀步骤，直至达到所需的总刻蚀深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
