[发明专利]一种硫硒化合物复合阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201510807408.4 | 申请日： | 2015-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN105280387A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 武大鹏;王红菊;高志永;徐芳;安义鹏;蒋凯 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人： | 路宽 |
| 地址： | 453007 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫硒化合物复合阵列的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的技术方案要点为：一种硫硒化合物复合阵列的制备方法，具体包括表面覆盖有碱式碳酸铁或碱式碳酸钴的导电玻璃片的制备和硫硒化合物复合阵列的制备等步骤。本发明制备方法简单，反应条件温和，制得的硫硒化合物复合阵列具有良好的电子传输通道和催化活性，因而表现出良好的电化学特性和催化性能，能够很好地应用于量子点敏化太阳能电池的对电极，在太阳能电池中具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 复合 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫硒化合物复合阵列的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）表面覆盖有碱式碳酸铁或碱式碳酸钴的导电玻璃片的制备：将硝酸铁或硝酸钴溶于蒸馏水中，再加入氟化铵和尿素，将溶液搅拌混合均匀后转入含有导电玻璃片的反应釜中，然后于120℃水热反应5h后冷却至室温得到表面覆盖有碱式碳酸铁或碱式碳酸钴的导电玻璃片；（2）硫硒化合物复合阵列的制备：将硒粉和硫粉加到溶剂中并通入保护气，然后加入硼氢化钠溶液，再加入步骤（1）得到的表面覆盖有碱式碳酸铁或碱式碳酸钴的导电玻璃片，继续通入保护气，浸泡10-12h后将导电玻璃片取出清洗干净后得到硫硒化合物复合阵列。
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