[发明专利]一种多层表面传导电子发射源结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510808436.8 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105355529A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 吴胜利;魏强;张劲涛;胡文波 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J9/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层表面传导电子发射源结构及其制备方法，包括基板，基板上设有下电极，电子发射薄膜沉积于下电极上，且下电极与电子发射薄膜之间自下到上依次设有绝缘介质层及上电极，其中，上电极的长度小于绝缘介质层的长度，电子发射薄膜上开设有两个纳米裂缝，两个纳米裂缝位于上电极的两侧，两个纳米裂缝位于绝缘介质层上，上电极及下电极分别与电源的正极及负极相连接。本发明的电流密度及电子发射效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 表面 传导 电子 发射 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多层表面传导电子发射源结构，其特征在于，包括基板(100)，基板(100)上设有下电极(150)，电子发射薄膜(250)沉积于下电极(150)上，且下电极(150)与电子发射薄膜(250)之间自下到上依次设有绝缘介质层(300)及上电极(160)，其中，上电极(160)的长度小于绝缘介质层(300)的长度，电子发射薄膜(250)上开设有两个纳米裂缝(260)，两个纳米裂缝(260)位于上电极(160)的两侧，两个纳米裂缝(260)位于绝缘介质层(300)上，上电极(160)及下电极(150)分别与电源的正极及负极相连接。
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