[发明专利]一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路在审
| 申请号： | 201510808822.7 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN106788275A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张黎阳;赵骞;唐东杰;聂庆庆;傅金 | 申请（专利权）人： | 厦门宇臻集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/07 | 分类号： | H03F1/07;H03F1/32;H03F3/20 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人： | 杨依展 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。本发明提供了一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，提高了E-HEMT功率放大器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共源共栅 增强 hemt 功率放大器 电路 | ||
【主权项】：
一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，其特征在于：包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E‑HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。
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