[发明专利]一种双结薄膜太阳能电池组件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510809748.0 申请日: 2015-11-20
公开(公告)号: CN106784127B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 顾世海;张庆钊 申请(专利权)人: 北京创昱科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/078;H01L31/0336
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 尹学清;彭秀丽
地址: 102209 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种双结薄膜太阳能电池组件及其制作方法,电池组件由多个电池单元串联而成,每个电池单元包括选择性生长衬底、底电池和顶电池,顶电池上设有正面金属电极层,选择性生长衬底包括金属基底、图形化的绝缘层和N型微晶锗籽晶层,绝缘层形成于金属基底上,N型微晶锗籽晶层位于绝缘层所形成的图形中;底电池为多晶锗底电池层,顶电池为GaAs电池,多晶锗底电池至顶电池间依次生长有N型的扩散层、N型的缓冲层、隧道结N型区和隧道结P型区,正面金属电极层上形成有减反射层。本发明采用两次选择性生长工艺在金属基底上生长多晶锗/砷化镓薄膜电池结构,合理的禁带匹配设计可使电池转化效率达到32%(AM1.5),实现太阳能电池的低成本和柔性化。
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池 组件 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种双结薄膜太阳能电池组件,由多个电池单元串联而成,每个电池单元包括选择性生长衬底、底电池和顶电池,所述顶电池上设有正面金属电极层,其特征在于,所述选择性生长衬底包括金属基底、图形化的绝缘层和N型微晶锗籽晶层,所述绝缘层形成于所述金属基底上,所述N型微晶锗籽晶层位于所述绝缘层所形成的图形中;所述底电池为多晶锗底电池层,所述顶电池为GaAs电池,所述多晶锗底电池至所述顶电池之间依次生长有N型的扩散层、N型的缓冲层、隧道结N型区和隧道结P型区,所述正面金属电极层上形成有减反射层。
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