[发明专利]一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法

摘要

一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法，其主要步骤包括首先，将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面；然后配制碱性电解液，主要原料为KOH或NaOH碱金属，其浓度为5‑300g/L；辅助原料为过氧化氢、氨水、碳酸钠、草酸钠、尿素、乙二醇中的一种，添加浓度为1‑20g/L；将电解液放入反应釜中，同时将干净的镍基体浸入电解液中；将反应釜置于马弗炉中在120‑250℃进行水热反应1‑96小时，使得金属镍表面发生氧化反应；最后，将水热后的电极取出、清洗干净并干燥，即可获得基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极。该制备方法工艺简单，原材料廉价，易于操作，生产价格低，所制备的薄膜材料厚度可控，活性高，适合工业化大生产。

主权项

一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)将金属镍基体清洗除尘、除锈、除油以获得清洁的镍表面；(2)配制碱性电解液：主要原料为KOH或NaOH碱金属，其浓度为5‑300g/L；辅助原料为过氧化氢、氨水、碳酸钠、草酸钠、尿素、乙二醇中的一种，添加浓度为1‑20g/L；(3)将电解液放入反应釜中，同时将步骤(1)的金属镍基体浸入电解液中；(4)将反应釜置于马弗炉中，在120‑250℃进行水热反应1‑96小时，使得金属镍表面发生氧化反应；(5)将水热后的金属镍取出、清洗干净并干燥，即获得基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极。