[发明专利]硅片的湿法刻蚀方法及太阳能电池的生产方法在审
| 申请号： | 201510810053.4 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN106783575A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 谢新明;杨钰;邱锐敏 | 申请（专利权）人： | 茂迪（苏州）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片的湿法刻蚀方法及太阳能电池的生产方法，包括以下步骤1）使用氢氟酸和硝酸的混合溶液对扩散制节后得到的硅片的各个表面进行润洗；2）使用去离子水对步骤1）得到的硅片的各个表面进行冲洗；3）将步骤2）得到的硅片进行表面干燥；4）使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液对步骤3）得到的硅片的侧面和背面进行刻蚀。先使用氢氟酸和硝酸的混合溶液对扩散制节后得到的硅片的各个表面进行润洗，亲水性的磷硅或硼硅玻璃会在富HF的氢氟酸和硝酸的混合溶液中被迅速刻蚀掉，使得硅片的四周呈现斥水性，再使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液对硅片进行湿法刻蚀时，不会在硅片四周形成刻蚀痕，从而提高了硅片的良率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 湿法 刻蚀 方法 太阳能电池 生产 | ||
【主权项】：
一种硅片的湿法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)使用氢氟酸和硝酸的混合溶液对扩散制节后得到的硅片的各个表面进行润洗；2)使用去离子水对步骤1)得到的所述硅片的各个表面进行冲洗；3)将步骤2)得到的所述硅片进行表面干燥；4)使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合溶液对步骤3)得到的所述硅片的侧面和背面进行刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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